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삼성, 중국 西安서 NAND형 반도체공장 착공
삼성전자는 12일 중국 산시(陝西)성 시안(西安)에서 NAND형 플래시 메모리 공장 착공식을 열었다.
신공장 건설에 삼성은 초기 단계에서 23억 달러, 최종적으론 총 70억 달러를 투입해 설비를 차례로 확충할 계획이다.
삼성은 회로선폭 10나노미터대 미세가공기술을 사용해 2014년부터 본격 생산에 들어간다.
저비용 생산으로 통해 점유율을 확대해 삼성은 뒤를 쫓는 도시바와 SK하이닉스와 격차를 벌릴 생각이다.
10나노미터대는 삼성이 국내공장에서 현재 만드는 최첨단 기술이다.
새 공장은 애초 충칭을 제1 건설 후보지로 했다가 지난 3월 시안으로 변경한 바 있다.
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